用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成

• 作者: 吴芳 张志明 李国文 沈家骢 田文晶 马於光
• 来源期刊: 有机化学
• 学科: 化学
• 关键词: 电子传输材料 噻吩 噁二唑 电子亲和势 电子迁移率
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 529-532
• 页数: 4页
• 分类号: O62
• 字数: 2622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-2786.2000.04.014

摘要

在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位.但现存的材料存在着不同的缺点.因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4-叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制了它的应用.为了得到新的有效的电子传输材料,本文以噻吩为起始反应物经过二碘代、羧酸化、酯化、氨解等步骤合成了噻吩二酰肼,再通过噻吩二酰肼与相应的取代苯甲酰氯缩合、关环的方法将富电子的噻吩环和高电子亲和性的噻吩环同时引入,合成了三种新的含噻吩环噁二唑衍生物2,5-双[2,2'-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXD R=H,OCH3,CH3).同时,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定.这三种化合物都在负方向出现了一对可逆的氧化还原峰,由此得到其电子亲和势(EA)分别为-3.10 eV, -3.07 eV和-3.08 eV,其EA值都高于常用的电子传输材料PBD.R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入.并且由时间渡越法(TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10-4 cm2/V.S (E=106 V/ cm).所以R-OXD有可能是好的电子传输材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马於光	吉林大学超分子结构与谱学开放实验室	39	380	10.0	18.0
2	沈家骢	吉林大学超分子结构与谱学开放实验室	51	690	12.0	25.0
3	李国文	吉林大学超分子结构与谱学开放实验室	18	125	5.0	11.0
4	田文晶	吉林大学超分子结构与谱学开放实验室	29	349	8.0	18.0
5	吴芳	吉林大学超分子结构与谱学开放实验室	9	239	6.0	9.0
6	张志明	吉林大学超分子结构与谱学开放实验室	3	95	3.0	3.0