大功率量子阱远结半导体激光器

• 作者: 刘明大 刘雨微 张素梅 李献杰 李红岩 石家纬 高鼎三 齐丽云
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 远结 老化 阈值电流
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文与技术报告
• 页码范围: 314-316
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.05.003

摘要

通过将下波导层掺杂为p型,使半导体激光器的有源区与pn结分离,制作了大功率远结半导体激光器.该器件在老化期间表现出输出功率变大的趋势.理论分析表明,远结半导体激光器特殊的外延结构,决定了器件的阈值比正常器件的高,但是阈值受温度的影响较小,并且器件的退化机制转变为pn结的退化,这对于制作高可靠性、长寿命、低温度敏感性的半导体激光器具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	石家纬	吉林大学电子工程系	16	101	6.0	9.0
2	张素梅	吉林大学电子工程系	7	35	3.0	5.0
3	齐丽云	吉林大学电子工程系	3	45	1.0	3.0
4	李红岩	吉林大学电子工程系	11	61	5.0	7.0
5	刘明大	吉林大学电子工程系	6	30	3.0	5.0
6	高鼎三	吉林大学电子工程系	10	167	6.0	10.0
7	李献杰	吉林大学电子工程系	3	4	1.0	2.0
8	刘雨微	吉林大学电子工程系	1	1	1.0	1.0