偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究

• 作者: 刘卫 朱震刚 李承恩 水嘉鹏 贺连星 陈廷国
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 内耗 偏铌酸铅陶瓷 畴壁 氧空位
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 827-832
• 页数: 6页
• 分类号: TM22
• 字数: 3631字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.010

摘要

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅?铁电陶瓷的内耗进行了研究. 在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于70C(P1峰)、90C(P2峰)、200C(P3峰)、260C(P4峰)、430C(P5峰)和510C(P6峰)处. 对引起P3、P1、P2和P4峰的物理机制进行了详细探讨. 分析结果表明，P3峰的本质是一宽化的Debye弛豫内耗峰，相应的激活能和指前因子分别为1.01eV和2.410-14s. ?它源于氧空位与畴壁的相互作用. P1、P2和P4峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫	中国科学院内耗与固体缺陷开放实验室	109	1093	18.0	29.0
2	贺连星	中国科学院上海硅酸盐研究所	6	138	4.0	6.0
3	李承恩	中国科学院上海硅酸盐研究所	16	468	8.0	16.0
4	朱震刚	中国科学院内耗与固体缺陷开放实验室	36	379	10.0	19.0
5	水嘉鹏	中国科学院内耗与固体缺陷开放实验室	10	39	3.0	6.0