PZT铁电陶瓷的低频内耗研究

• 作者: 方前锋 朱震刚 王灿 石云
• 来源期刊: 中山大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: PZT 铁电陶瓷 内耗
• 年，卷（期）: 2001,（z2）
• 所属期刊栏目: 相变及功能材料的内耗研究
• 页码范围: 253-254
• 页数: 2页
• 分类号: TQ174.75+8.11|O482
• 字数: 634字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2001.z2.017

摘要

用传统的固态反应法制备了Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电陶瓷,在低频扭摆上采用强迫振动的方式,在0.05～4 Hz的频率范围内测量了PZT铁电陶瓷的内耗温度特征.在室温至350℃的内耗-温度曲线上,290℃和150℃附近分别出现两个弛豫型内耗峰P1和P2,并且在50℃附近观察到一个较低的内耗峰.根据Arrhenius关系,分别计算得到P1的激活能E1=2.09eV,τ01=3×10-20s,P2的激活能E2=1.04eV,ι02=8×10-14 s,并且分析了P1和P2内耗峰的机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方前锋	中国科学院固体物理研究所	51	197	8.0	12.0
2	王灿	中国科学院固体物理研究所	33	518	10.0	22.0
3	朱震刚	中国科学院固体物理研究所	36	379	10.0	19.0
4	石云	中国科学院固体物理研究所	14	233	5.0	14.0