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摘要:
在InAs自组织量子点的GaAs覆盖层中引入生长停顿,将这种量子点结构作激光器的有源区,与不引入生长停顿的量子点激光器进行对比后发现: 生长停顿可以降低激光器的阈值电流,提高其特征温度,改善激光波长的温度稳定性.简单的分析表明,量子点中的能带填充效应影响了激光波长的温度特性.
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文献信息
篇名 生长停顿对量子点激光器的影响
来源期刊 红外与毫米波学报 学科 工学
关键词 InAs自组织量子点 量子点激光器 生长停顿 能带填充效应
年,卷(期) 2000,(5) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 347-350
页数 4页 分类号 TN2
字数 2806字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1001-9014.2000.05.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王晓东 中国科学院半导体研究所半导体超晶格和微结构国家重点实验室 198 1467 19.0 28.0
2 封松林 中国科学院半导体研究所半导体超晶格和微结构国家重点实验室 44 296 8.0 16.0
3 王海龙 中国科学院半导体研究所半导体超晶格和微结构国家重点实验室 35 356 10.0 18.0
4 汪辉 中国科学院半导体研究所半导体超晶格和微结构国家重点实验室 23 76 5.0 7.0
5 牛智川 中国科学院半导体研究所半导体超晶格和微结构国家重点实验室 45 124 5.0 8.0
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2018(1)
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研究主题发展历程
节点文献
InAs自组织量子点
量子点激光器
生长停顿
能带填充效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外与毫米波学报
双月刊
1001-9014
31-1577/TN
大16开
上海市玉田路500号
4-335
1982
chi
出版文献量(篇)
2620
总下载数(次)
3
总被引数(次)
28003
论文1v1指导