掺杂对CdSe-TFT稳定性影响的研究

• 作者: 叶如华 景玉梅 李志明 李菊生
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: CdSe 薄膜晶体管 掺杂
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 196-201
• 页数: 6页
• 分类号: TN321.5
• 字数: 2211字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2000.03.006

摘要

利用蒸发和溅射工艺,研究了CdSe-TFT的制作,特别对掺In的CdSe-TFT的电性能进行了研究.实验中观察到CdSe掺In后,TFT的I-V特性明显得到改善,得到了性能稳定的TFT器件.利用半导体掺杂理论对此现象进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李志明	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	16	254	8.0	15.0
2	景玉梅	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	8	1.0	2.0
3	叶如华	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	1	1.0	1.0
4	李菊生	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	1	1.0	1.0