GaN发光二极管的负电容现象

• 作者: 张国义 李国华 李月霞 杨志坚 沈君 王存达 秦志新 童玉珍
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 发光二极管 负电容
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 338-341
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2367字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.04.012

摘要

采用串联等效电路分析了较大正向电压下半导体二极管的交流电学特性,由此可以同时测量结电容和串联电阻,并能判断二极管是否有界面层.首次发现了在较低的测试频率和较大的正向电压下,GaN二极管的结电容具有负值,并且测试频率越低,正向偏压越大,负电容现象越显著.这种负电容效应可能与大正向电压下强注入造成的电子-空穴复合发光有关.