纯Bi12SiO20晶体光激发截面的测量

• 作者: 梁其民
• 来源期刊: 山东轻工业学院学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 光激发截面 Bi12SiO20晶休 瞬态光电流
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 48-51
• 页数: 4页
• 分类号: O4-34
• 字数: 2247字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4280.2000.01.014

摘要

本文用瞬态光电流方法测量了纯Bi12SiO20(BSO)晶体的光激发截面.当脉冲宽度为7ns、光强为135KW/cm2、波长为532纳米的脉冲激光照射BSO晶体时,得到瞬态光电流的上升时间为55微秒,可计算出BSO晶体的光激发截面S＝5.04×10-20cm2.利用光激发截面的数值可得出施主浓度ND＝3.2×1019cm-3.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁其民	山东轻工业学院物理教研室	3	0	0.0	0.0