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摘要:
利用磁控溅射的方法制备了Cr、 Ta、 Al、 Mo、 MoW等金属薄膜,采用XRD、 SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响,得到了制作TFT器件中优质金属电极的工艺参数。
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内容分析
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文献信息
篇名 TFT阵列金属电极的制备与性能
来源期刊 液晶与显示 学科 工学
关键词 磁控溅射 TFT器件 溅射速率 金属薄膜
年,卷(期) 2000,(4) 所属期刊栏目 研究报告
研究方向 页码范围 260-267
页数 8页 分类号 TN321.5
字数 2616字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 杨柏梁 12 90 7.0 9.0
3 吴渊 3 14 2.0 3.0
7 刘传珍 2 10 2.0 2.0
8 王大海 1 7 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
磁控溅射
TFT器件
溅射速率
金属薄膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
液晶与显示
月刊
1007-2780
22-1259/O4
大16开
长春市东南湖大路3888号
12-203
1986
chi
出版文献量(篇)
3141
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7
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21631
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