热处理过程对Ni/Al2O3界面化学状态的影响

• 作者: 刘韩星 张汉林 欧阳世翕 袁润章
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 镍/氧化铝界面 化学状态 光电子能谱
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 441-444,453
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174
• 字数: 3008字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2000.05.009

摘要

对用射频磁控溅射法形成的单晶及多晶Al2O3与Ni界面的化学状态进行研究.离子减薄结合X射线光电子能谱方法原位对界面电子态研究表明:未经过热处理的界面没有化学状态的变化.Ni/Al2O3(0001)界面经退火处理后界面处Ni有多种结合态存在.N2气保护下在400 ℃和800 ℃对Ni/Al2O3(多晶)样品保温30 min,Ni,Al化学状态变化虽不明显,但高温(800 ℃)处理导致Ni向Al2O3基片内扩散.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘韩星	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	105	1103	18.0	28.0
2	袁润章	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	170	2200	24.0	36.0
3	欧阳世翕	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	40	510	13.0	21.0
4	张汉林	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	1	2	1.0	1.0