固态van der Waals C60膜晶格的Coulomb膨胀

• 作者: H. Kamiyama H. Shinohara K. Ohno T. Hashizume T. Sakurai Y. Hasegawa Y. Kawazoe Y. Ling Z. Q. Li 厉建龙 孙牧 薛其坤 陆华
• 来源期刊: 中国科学(A辑)
• 学科: 物理学
• 关键词: 扫描隧道显微镜 C60 Coulomb相互作用 分子束外延 电荷转移
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 529-536
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 4639字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.2000.06.007

摘要

利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(001)2×4表面上的固态van der Waals C60膜在室温下较之C60晶体具有13%的晶格膨胀.这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C60分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的.理论计算表明,平均约有1.76个电子转移到每个C60分子上.有趣的是,该固态C60膜为(110)取向,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有(111)取向的六角密排C60膜.这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的.通过选择不同的衬底,可以控制C60薄膜的晶体生长.