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摘要:
分析了单量子阱(SQW)、多量子阱(MQW)和分别限制异质结构量子阱(SCH-SQW)半导体激光器的阈值.求出了表示光增益随注入载流子密度变化的方程.利用这个结果,得到了上述三种量子阱半导体激光器的阈值电流密度的表达式.
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文献信息
篇名 量子阱半导体激光器阈值的理论分析
来源期刊 发光学报 学科 工学
关键词 量子阱 半导体激光器 阈值
年,卷(期) 2000,(3) 所属期刊栏目 研究快报
研究方向 页码范围 279-281
页数 3页 分类号 TN365
字数 1033字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-7032.2000.03.021
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1 杜宝勋 1 4 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
量子阱
半导体激光器
阈值
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
发光学报
月刊
1000-7032
22-1116/O4
大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
出版文献量(篇)
4336
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7
总被引数(次)
29396
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