硅基键合激光器的研究进展

• 作者: 余金中 王启明 韩伟华
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器 硅基键合 混合光电集成
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 所属期刊栏目: 综合评述
• 页码范围: 77-79,84
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4|TN305.93
• 字数: 3792字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2000.02.002

摘要

硅基的光电子集成以及光集成将满足未来信息传输处理的要求.目前制作硅基激光器的方法主要分为两类,异质结外延生长和异质材料键合.键合方法克服了异质结外延生长不可避免的晶格失配和材料热膨胀系数非共容性的缺点,它可以将具有直接带隙结构的半导体材料(如Ⅲ-Ⅴ族材料)键合到硅片上,从而制作出硅基键合激光器件.特别是近年来发展起来的低温(小于500℃)直接键合技术,使发光器件与微电子器件的硅基混合光电集成成为可能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王启明	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	118	735	14.0	20.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	110	703	13.0	21.0
3	韩伟华	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室	20	98	5.0	9.0