反应动力学理论和N型金属氧化物点缺陷的统计分布*

• 作者: 刘东红 刘文利 曲鲁 李蕾 高建华
• 来源期刊: 山东工业大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 反应动力学 Fermi能级 吸附/氧负离子
• 年，卷（期）: 2000,（5）
• 页码范围: 441-449
• 页数: 9页
• 分类号: O472
• 字数: 4052字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-3961.2000.05.008

摘要

提出了用反应动力学理论来研究半导体点缺陷的统计分布的理论.给出了N型半导体施主分布的Fermi公式,N型金属氧化物氧空位Vo+,Vo+,Vo++的浓度公式和吸附氧负离子浓度[O2],[O]的公式.提出一种用来研究有两次电离过程的N型金属氧化物Fermi能级变化范围的方法,给出Ed2-kTln2＜EF＜Ed1-kTlngd1的结果.讨论了在气敏晶体表面O-的产生问题,给出O-不可能在完整晶体表面产生的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李蕾		1	0	0.0	0.0
2	刘文利		1	0	0.0	0.0
3	高建华		1	0	0.0	0.0
4	刘东红		1	0	0.0	0.0
5	曲鲁		1	0	0.0	0.0