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摘要:
采用数值方法,研究了半导体InSb材料受连续波激光辐照的熔融阈值,讨论了InSb材料的熔融阈值与入射激光波长、功率密度以及辐照时间的关系,同时考虑了载流子效应对靶内温升过程以及熔融阈值的影响,给出了材料内温度与载流子密度的瞬态分布.
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文献信息
篇名 连续波激光辐照半导体InSb材料的熔融破坏
来源期刊 中国激光 学科 工学
关键词 激光辐照效应 半导体材料 熔融破坏阈值 载流子效应
年,卷(期) 2000,(4) 所属期刊栏目 激光应用
研究方向 页码范围 372-376
页数 5页 分类号 TB3
字数 3203字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0258-7025.2000.04.018
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘峰 42 366 10.0 18.0
2 陈雨生 36 433 11.0 19.0
3 黄流兴 21 137 7.0 11.0
4 强希文 31 349 11.0 18.0
5 张建泉 12 214 8.0 12.0
传播情况
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引文网络
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节点文献
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研究主题发展历程
节点文献
激光辐照效应
半导体材料
熔融破坏阈值
载流子效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
中国激光
月刊
0258-7025
31-1339/TN
大16开
上海市嘉定区清河路390号 上海800-211邮政信箱
4-201
1974
chi
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