正常金属-绝缘体-s波超导结中的隧道谱和束缚态

• 作者: 王云霞
• 来源期刊: 四川师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 微分电导 束缚态 杂质散射 界面散射
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 页码范围: 617-620
• 页数: 4页
• 分类号: O511
• 字数: 1907字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-8395.2000.06.017

摘要

在正常金属-绝缘体-s波超导隧道结中,考虑到绝缘体中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Bogoliubov-de Gennes (BdG)方程和Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK)理论模型,计算系统的微分电导和束缚态.计算表明:(1) 粗糙界面散射和绝缘体中的杂质散射都能使能隙峰变低,凹陷升高;(2) 当绝缘层厚度具有几个超导相干长度时,隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰,并在超导能隙内形成一些束缚态.