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摘要:
在研究四电极电化学腐蚀工艺过程中,考虑了与扩散硅压力传感器芯片平面工艺的兼容性,使得该工艺用于微压传感器的制造.微压传感器采用梁膜结构设计,膜区厚度为10μm,制造出的微压传感器灵敏度为50mV/3kPa/1mA,端点法非线性为0.5%.
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文献信息
篇名 四电极电化学腐蚀在微压传感器制造中的应用
来源期刊 仪表技术与传感器 学科
关键词 四电极 电化学腐蚀 微压传感器 梁膜结构
年,卷(期) 2000,(8) 所属期刊栏目 工艺与设备
研究方向 页码范围 11-12
页数 2页 分类号
字数 784字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1002-1841.2000.08.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 乔文华 1 3 1.0 1.0
2 张纯棣 1 3 1.0 1.0
3 张治国 1 3 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
四电极
电化学腐蚀
微压传感器
梁膜结构
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
仪表技术与传感器
月刊
1002-1841
21-1154/TH
大16开
沈阳市大东区北海街242号
8-69
1964
chi
出版文献量(篇)
7929
总下载数(次)
16
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