高速数字I/O缓冲器瞬态行为建模及其在同步开关噪声分析中的应用

• 作者: 李征帆 毛军发 蔡兴建 陈建华
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: IBIS模型 高速数字I/O缓冲器 瞬态行为模型 同步开关噪声
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 36-38,42
• 页数: 4页
• 分类号: TP334.4
• 字数: 3050字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.11.010

摘要

本文阐述了从最新版本的ImS(I/O Buffer Information Specification)建模数据中构造高速数字I/O缓冲器的瞬态行为模型的推导过程,获得了建模所需要的充分条件.与相应的晶体管级模型(SPICE模型)相比,该方法在获得了更高仿真精度的同时,提高了具有大量同步开关器件芯片互连的仿真速度.采用这些模型有效地分析了多芯片互连非线性电路中的同步开关噪声,证实了差分波形传输信号的优越性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李征帆	上海交通大学电子工程系	83	533	13.0	18.0
2	陈建华	上海交通大学电子工程系	77	339	10.0	16.0
3	毛军发	上海交通大学电子工程系	84	256	8.0	11.0
4	蔡兴建	上海交通大学电子工程系	8	62	4.0	7.0