NiO靶烧结温度对NiO/Ni81Fe19双层膜的影响

• 作者: 刘兴阶 李佐宜 胡用时 邱进军
• 来源期刊: 华中理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: NiO靶烧结温度 矫顽力 交换耦合场
• 年，卷（期）: 2000,（1）
• 页码范围: 79-81
• 页数: 3页
• 分类号: O484|TM271
• 字数: 826字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2000.01.028

摘要

在不同的温度下烧结制备NiO靶,用射频磁控溅射法淀积NiO/Ni81Fe19双层膜,研究了不同的温度烧结NiO靶对NiO/NiFe双层膜特性的影响,结果表明,使用不同的烧结温度制备的NiO靶溅射所得的NiO膜中Ni的化学价态及其含量不同,进而影响NiO/Ni81Fe19双层膜的磁滞回线的矩形度及层间交换耦合作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李佐宜	华中理工大学电子科学与技术系	16	50	4.0	6.0
2	胡用时	华中理工大学电子科学与技术系	4	5	1.0	2.0
3	邱进军	华中理工大学电子科学与技术系	5	3	1.0	1.0
4	刘兴阶	华中理工大学电子科学与技术系	2	1	1.0	1.0