交换耦合双层膜 NiO/Ni81Fe19的基片温度效应研究

• 作者: 卢志红 李佐宜 李震 林更琪 熊锐 胡作启 邱进军 郑远开
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 基片温度 交换耦合 矫顽力
• 年，卷（期）: 1999,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 933-938
• 分类号: O484|TM271
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.1999.06.016

摘要

用射频磁控溅射方法在不同基片温度下玻璃基片上分别制备NiO单层膜、NiFe单层膜和NiO/NiFe双层膜,研究了不同基片温度对膜的磁性能的影响. 用振动样品磁强计(VSM)分析了膜的磁特性,结果表明:基片温度260℃时淀积的NiFe膜矫顽力HC为184A·m-1,小于室温淀积NiFe膜的HC(584A·m-1),且磁滞回线的矩形度更好. 室温下淀积NiO(50 nm) /NiFe (15 nm) 双层膜的HC为4000A·m-1,交换耦合场(HEX)仅为1600A·m-1,磁滞回线的矩形度很差;而260℃时淀积的双层膜的HC下降到3120A·m-1,HEX却增大为4640A·m-1,同时磁滞回线的矩形度也得到改善,其截止温度TB高达230℃. X射线衍射(XRD)分析了膜的织构,结果表明:室温下淀积NiO膜呈现(220)织构,而260℃时淀积NiO膜呈现(111)织构;室温和260℃淀积的NiFe膜都呈(111)织构,但后者晶粒比前者大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李佐宜	华中理工大学电子科学与技术系	16	50	4.0	6.0
2	郑远开	华中理工大学电子科学与技术系	5	12	2.0	3.0
3	卢志红	中国科学院上海冶金所	3	2	1.0	1.0
4	熊锐	华中理工大学电子科学与技术系	2	5	1.0	2.0
5	胡作启	华中理工大学电子科学与技术系	5	11	2.0	3.0
6	林更琪	华中理工大学电子科学与技术系	3	7	2.0	2.0
7	邱进军	华中理工大学电子科学与技术系	5	3	1.0	1.0
8	李震	华中理工大学电子科学与技术系	3	2	1.0	1.0