硅场致发射特性的数值模拟

• 作者: 朱长纯 皇甫鲁江
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 硅 场致发射 电子输运 碰撞电离
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: TN412
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2000.06.011

摘要

用数值方法求解漂移-扩散模型下半导体基本方程组以及耦合的场致发射方程,对硅的场致发射特性进行数值模拟,模型中包含以往输运方程模型中未考虑的碰撞电离现象.模拟结果表明,当发射电流较大时,硅场致发射主要受体内电子向发射表面输运过程的限制,碰撞电离现象对输运过程有显著地影响.该模型有助于更全面地了解硅场致发射阴极内部的物理状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱长纯		215	2372	22.0	41.0
2	皇甫鲁江		8	62	3.0	7.0