二维巨磁阻磁头表面场的计算

• 作者: 孙志英 韦丹
• 来源期刊: 清华大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 磁阻磁头 表面归一化场 表面磁势
• 年，卷（期）: 2000,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学与技术
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TQ581
• 字数: 1761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-0054.2000.06.010

摘要

为了研究磁阻磁头的读出电压,有必要从理论的角度求得磁阻磁头的表面场.真实磁头用一个二维磁头近似来求解表面场及相关的磁势.磁势满足Laplace方程,利用能量最低原理求得磁势及表面归一化场.根据磁头的磁记录性质确定边界条件.结果表明: 巨磁阻磁头的高频读出性能显著优于电感磁头.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韦丹	清华大学材料科学与工程系	10	24	2.0	4.0
2	孙志英	清华大学材料科学与工程系	1	1	1.0	1.0