动态随机存储器中堆叠电容器结构的互连寄生电容模拟

• 作者: 侯劲松 李毅 王泽毅
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 数学
• 关键词: 寄生电容 动态随机存储器 堆叠存储电容器 边界元素法
• 年，卷（期）: 2000,（11）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 29-31
• 页数: 3页
• 分类号: O241
• 字数: 2981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2000.11.008

摘要

在高密度比特位动态随机存储器(DRAM)芯片的发展中,随着多层布线与复杂存储单元结构的日渐普遍使用,互连寄生电容对存储器件性能如时延、功耗、噪声等的影响日渐突出,已成为不可忽视的重要因素,对互连寄生电容提取软件提出了紧迫的要求.本文介绍一个基于直接边界元素法的精度高,速度快,并可适应复杂堆叠(stacked)电容器结构的互连寄生电容模拟软件,并通过实例计算,分析DRAM中互连线寄生电容对电路性能的影响.