慢正电子技术研究ZrO2(Y2O3)薄膜的温度效应

• 作者: 夏风 翁惠民 邹柳娟 邹道文
• 来源期刊: 华中理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZrO2(Y2O3)薄膜 慢正电子技术 退火温度 缺陷浓度
• 年，卷（期）: 2000,（3）
• 页码范围: 99-101
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2000.03.035

摘要

用慢正电子技术研究了在溅射时不加偏压,纯Ar气氛,基片分别为加热300 ℃和不加热的情况下制备的No.2系列和No.7系列的用Y2O3 稳定的ZrO2 薄膜 (简称YSZ膜).研究发现:YSZ 膜心部区S参数随退火温度升高而降低;YSZ膜的过渡区宽度随退火温度升高而变窄;基片加热,有助于获得稳定、均匀、致密的薄膜组织.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁惠民	中国科学技术大学近代物理系	28	92	5.0	8.0
2	邹道文	江西师范大学物理系	19	155	7.0	12.0
3	邹柳娟	华中理工大学物理系	5	8	2.0	2.0
4	夏风	华中理工大学材料科学与工程系	5	3	1.0	1.0