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摘要:
【正】 Y2000-62135-149 0020140采用高密度等离子体化学汽相淀积氧化物电介质的窄铝金属化过程中感应金属空隙形成机制=A mecha-nism of stress-indueed metaI void in narrow Aluminum-brised metallization with the HDP CVD oxide dielectric[会,英]/Lee,S.G.& Oh,H.-S.//1999 IEEE Pro-ceedirigs of Internationai Interconnect Technology Con-ference.-149~151(EC)
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内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 真空蒸发、淀积、溅射、氧化与金属化工艺
来源期刊 电子科技文摘 学科 工学
关键词 真空蒸发 金属化工艺 化学汽相淀积 高密度等离子体 形成机制 电介质 铝金属化 磁控溅射法 氧化物 多层膜
年,卷(期) 2000,(12) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 39-40
页数 2页 分类号 TN
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研究主题发展历程
节点文献
真空蒸发
金属化工艺
化学汽相淀积
高密度等离子体
形成机制
电介质
铝金属化
磁控溅射法
氧化物
多层膜
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子科技文摘
月刊
1009-0851
11-4388/TN
16开
1999
chi
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10413
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1
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71
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