SiC MOS结构空间电荷区杂质离化的研究

• 作者: 尚也淳 张义门 张玉明
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: SiC Frenkel-Pool效应 杂质离化
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 页码范围: 630-633
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.0
• 字数: 3140字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2001.05.019

摘要

在研究SiC MOS表面空间电荷区杂质不完全离化的过程中引入了Frenkel-Pool效应,并建立了在电场作用下SiC杂质离化的新模型.基于对一维Poisson方程的求解,分析了场致离化对SiC MOS结构特性的影响,结果表明,电场的作用会提高SiC中杂质离化浓度,使析冻效应减弱,并最终导致SiC MOS器件特性发生变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	尚也淳	西安电子科技大学微电子所	9	53	4.0	7.0