低频内耗方法研究纳米晶Al块体材料的退火效应

• 作者: 丛洪涛 卢柯 李广义 陈吉
• 来源期刊: 中山大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米晶 Al 内耗
• 年，卷（期）: 2001,（z2）
• 所属期刊栏目: 纳米晶材料的内耗研究
• 页码范围: 257-260
• 页数: 4页
• 分类号: TG111.2|O482
• 字数: 2641字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0529-6579.2001.z2.019

摘要

运用低频内耗温度谱和TEM显微观察,系统研究了由含H等离子蒸发制备的粉料经冷压得到的纳米晶Al试样的滞弹性行为及结构演化过程.结果表明:当T预退火＜823K时,内耗Q-1随温度指数增加;当823K≤T预退火≤893K时,内耗Q-1的温度谱在指数背景上出现分布很宽的弛豫峰Pn.该峰远低于经典的粗晶Al的晶界峰;峰的激活能为(1.20±0.05)eV,介于粗晶Al沿晶界扩散的激活能与晶格扩散激活能之间.893K预退火40min后进行85%冷轧量变形并经727K退火60min的纳米晶Al,内耗Q-1随温度的变化表现为双弛豫峰P1和P2.P1蜂的激活能为(1.22±0.18)eV,P2峰的激活能为(1.53±16)eV.P1峰温和激活能与P0峰相当,P2峰温和激活能与粗晶Al晶界峰相当.TEM显微观察表明纳米晶Al的晶间结构及晶粒形状随预退火和冷变形处理发生了改变.根据上述结果,对预退火及冷变形处理引起的纳米晶Al的结构变化和内耗本质进行了探讨.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢柯	中国科学院金属研究所	26	766	8.0	26.0
2	丛洪涛	中国科学院金属研究所	6	105	2.0	6.0
3	李广义	中国科学院金属研究所	10	93	5.0	9.0
4	陈吉	中国科学院金属研究所	15	218	6.0	14.0