一种带过流保护的MOSFET管驱动电路

• 作者: 颜南明 马晓军 魏曙光
• 来源期刊: 装甲兵工程学院学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET驱动与保护过流仿真
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 64-67
• 页数: 4页
• 分类号: TN323.6
• 字数: 2482字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-1497.2001.01.013

摘要

提出了适合MOSFET管的一种驱动与保护电路,电路利用高频磁隔离耦合技术,驱动信号响应快,且具有过流保护功能.对该电路进行了详细分析,给出了参数设计原则,并通过MATLAB仿真和实验测试,证明了其正确性和可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马晓军	装甲兵工程学院控制工程系	160	976	15.0	24.0
2	魏曙光	装甲兵工程学院控制工程系	53	166	6.0	9.0
3	颜南明	装甲兵工程学院控制工程系	44	256	8.0	14.0