曝光量对介质阻挡放电照相的影响

• 作者: 吴日赐 翁明 陈启升
• 来源期刊: 高压电器
• 学科: 物理学
• 关键词: 介质阻挡放电照相 纳秒脉冲 汞润触点继电器
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: O453
• 字数: 1245字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-1609.2001.01.004

摘要

本文叙述了介质阻挡放电照相技术的基本原理，给出了自制的实验装置，并研究了不同曝光时间、不同放电回路电阻对照相质量的影响。在此基础上，提出在采用高压纳秒脉冲放电技术的前提下，综合控制曝光时间和放电回路电阻，是获得良好质量介质阻挡放电像的又一关键。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	翁明		24	111	6.0	8.0
2	陈启升		1	2	1.0	1.0
3	吴日赐		2	11	2.0	2.0