HL-1M装置真空室硅化的研究

• 作者: 严东海 刘建宏 崔成和 张炜 梁雁 王恩耀 许正华 黄永康
• 来源期刊: 核聚变与等离子体物理
• 学科: 工学
• 关键词: 硅化 再循环 真空壁条件
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 245-252
• 页数: 8页
• 分类号: TL662+8
• 字数: 4116字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-6086.2001.04.009

摘要

GDC(He+SiH4)是为HL-1M装置研制的一种常规壁处理技术.在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子-分子反应和在壁面上的He+诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅(α-Si:H)薄膜.氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2(D2)释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL-1M装置的运行范围,为HL-1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	严东海		17	46	5.0	6.0
2	王恩耀		30	56	5.0	6.0
3	崔成和		19	39	4.0	4.0
4	梁雁		7	17	3.0	4.0
5	许正华		8	24	3.0	4.0
6	张炜		12	43	4.0	5.0
7	刘建宏		1	3	1.0	1.0
8	黄永康		1	3	1.0	1.0