用于Ⅲ族氮化物生长的紧配合喷淋头反应器

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD 密配合喷淋头反应器 Ⅲ族氮化物生长
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 103-106
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1189字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.025

摘要

在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料.近年来,氮化物基的LED的制备成功,具有提供白光照明代替白炽灯和荧光灯的潜在能力.人们对用MOCVD方法生长GaN基材料的兴趣日益高涨,特别是对多片、均匀生长的大尺寸反应器的要求日益迫切.本文概述了紧配合喷淋头反应器的设计思想和其特性.结合Ⅲ族氮化物生长对设备的相关要求,给出了这种设备运行的一些结果.这些结果表明,这种紧配合喷淋头反应器很适合在研究和产品生产中的GaN基材料结构的生长.