调制掺杂同型结对HB-LED工作电压的影响

• 作者: 刘颂豪 廖常俊 文尚胜 范广涵
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 调制掺杂 同型结 接触电势差 高亮度发光二极管
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 激光技术与器件
• 页码范围: 278-280
• 页数: 3页
• 分类号: TN2484
• 字数: 2209字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2001.03.020

摘要

根据电化学C-V测量AlGaInP外延片获得的载流子浓度深度分布数据,以及其LED外延片封装后的工作电压,计算了其中N+-N与P+-P两种同型结的接触电势差,指出调制掺杂同型结的掺杂浓度分布是影响LED工作电压的另一大因素,并提出了进一步降低LED工作电压的有效措施.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学MOCVD实验室	147	1064	16.0	26.0
2	刘颂豪	华南师范大学MOCVD实验室	308	3297	27.0	39.0
3	文尚胜	华南理工大学应用物理系	96	434	11.0	15.0
4	廖常俊	华南师范大学MOCVD实验室	92	843	15.0	23.0