锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响

• 作者: 刘华 张沛霖 李长鹏 王矜奉 苏文斌 钟维烈 陈洪存
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 压敏材料 氧化锑 电学性能 缺陷势垒模型
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 实验技术与测试方法
• 页码范围: 309-312
• 页数: 4页
• 分类号: TN379
• 字数: 2706字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-2474.2001.04.019

摘要

通过对样品V-I特性和势垒特性的测试和分析,研究了掺锑对二氧化锡压敏电阻性能的影响.snO2@Co2O3基本上不具有电学非线性,掺杂很少量的Sb2O3可明显改善材料的非线性.研究中发现掺杂x(sb2O3)为0.01%的样品具有最高的质量密度(ρ＝6.90 g/cm3)、最高的视在势垒电场(EB＝276 V/cm)和最好的电学非线性(a＝12.89).提出了SnO2@Co2O3@Sb2O3的晶界缺陷势垒模型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟维烈	山东大学物理系	44	381	12.0	18.0
2	王矜奉	山东大学物理系	64	562	13.0	20.0
3	陈洪存	山东大学物理系	40	335	12.0	15.0
4	张沛霖	山东大学物理系	32	226	8.0	14.0
5	刘华	山东大学物理系	29	57	5.0	5.0
6	苏文斌	山东大学物理系	27	203	10.0	13.0
7	李长鹏	山东大学物理系	11	85	6.0	9.0