Sm离子在SrS∶Eu，Sm电子俘获过程中的作用

• 作者: 何志毅 侯延冰 孙力 徐叙 王永生
• 来源期刊: 中国科学A辑
• 学科: 工学
• 关键词: 电子俘获 电子陷阱 光存储 钐
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 物理学
• 页码范围: 366-372
• 页数: 7页
• 分类号: TN2
• 字数: 5622字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1006-9232.2001.04.011

摘要

测量了SrS∶Eu，Sm的吸收光谱在陷阱饱和与倒空状态下的差异，由此讨论了在陷阱饱和时不同能量位置空穴和电子的分布，通过在近红外区Sm3+的吸收光谱研究了Sm离子价态和数目在激发前后的变化，并发现Sm3+的线状吸收与电子的陷阱→导带的激励吸收光谱存在较强的相消现象. 提出了在SrS∶Eu，Sm中陷阱的构成机制及Sm3+离子在其中的地位，考察了Sm浓度对光存储量的影响，并找到一个提高这种材料光存储量的合理方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王永生	北方交通大学光电子技术研究所	26	151	7.0	10.0
2	徐叙	北方交通大学光电子技术研究所	5	29	4.0	5.0
3	孙力	北方交通大学光电子技术研究所	15	136	7.0	11.0
4	侯延冰	北方交通大学光电子技术研究所	25	214	10.0	13.0
5	何志毅	北方交通大学光电子技术研究所	4	39	3.0	4.0