CVI工艺对CVI—SiC基体及C/SiC复合材料性能的影响

• 作者: 宋麦丽 王涛 邹武 闫联生
• 来源期刊: 宇航材料工艺
• 学科: 航空航天
• 关键词: CVI SiC基体 SEM分析 XRD分析 微观结构
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 24-28
• 页数: 5页
• 分类号: V25
• 字数: 2271字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2330.2001.01.006

摘要

通过SEM和XRD分析研究了在不同条件下反应生成的SiC基体的微观结构和组分。结果表明，反应温度对沉积SiC晶体的取向有很大的影响，温度在1 100℃以下沉积SiC为单一取向(111)(2θ≈35°)面，温度在1 100℃以上，沉积SiC主要有两种取向(111)面和(220)(2θ≈60°)面，还有少量的(311)(2θ≈70°)面。不同条件下生成的SiC晶粒的堆积方式有所不同，这直接影响了SiC基体的性能，从而影响了其复合材料的性能。此外反应气体流量也对SiC基体和复合材料性能有很大影响。本文进行了沉积温度和气体流量对SiC基体性能影响的研究，优化了CVI—SiC工艺。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫联生		9	213	8.0	9.0
2	邹武		5	111	5.0	5.0
3	王涛		3	83	3.0	3.0
4	宋麦丽		3	83	3.0	3.0