铬掺杂对PZT-PMN陶瓷材料性能的影响

• 作者: 李承恩 贺连星 高敏
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铬掺杂 压电性能 电畴形貌
• 年，卷（期）: 2001,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 337-343
• 页数: 7页
• 分类号: TM22
• 字数: 2880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.02.023

摘要

采用TEM、SEM、ESR(电子自旋共振)结合常规压电性能测试手段研究了Cr2O3掺杂对PZT-PMN陶瓷的压电性能、微结构及畴态的影响.压电性能测试结果表明,当Cr2O3含量低于0.06wt%时,可使Kp和Qm同时提高,这说明铬掺杂同时兼具"软掺杂"与"硬掺杂"的双重特性.此外,还发现随着烧结温度的提高，材料性能“硬化”明显.ESR谱分析表明,Cr离子主要以Cr3+和Cr5+的方式共存，随着烧结温度的提高，它有从高价态Cr5+或Cr6+向低价态转变的趋势，这一价态变化被认为是材料性能随烧结温度提高而“变硬”的主要原因之一.TEM图片显示，随着掺杂的Cr2O3的浓度的增大，由于氧空位或受主离子与氧空位构成的缺陷复合体对畴壁的钉扎，电畴将从正规带状畴向波纹状畴转变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贺连星		6	138	4.0	6.0
2	高敏		26	155	8.0	12.0
3	李承恩		16	468	8.0	16.0