超高密度信息存储/分子存储及其存储机理*

• 作者: 张昊旭 时东霞 林晓 高鸿钧
• 来源期刊: 物理
• 学科: 工学
• 关键词: 超高密度信息存储 分子存储 有机功能材料 扫描探针显微术
• 年，卷（期）: 2001,（8）
• 所属期刊栏目: 研究快讯
• 页码范围: 453-455
• 页数: 3页
• 分类号: TB3
• 字数: 1553字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0379-4148.2001.08.001

摘要

在有机功能纳米薄膜上通过扫描隧道显微技术实现了超高密度的信息存储,存储点的大小在1.3nm左右,存储点间距为1.5nm,相应的存储密度为10bits/cm2.实验与理论计算的结果表明,其存储机理是薄膜的导电性质的变化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高鸿钧		44	262	10.0	14.0
2	时东霞		23	165	8.0	12.0
3	张昊旭		7	50	5.0	7.0
4	林晓		19	127	6.0	11.0