氮化钼膜电极制备工艺及其电化学行为的研究

• 作者: 何建波 朱云贵 李学良 王华林 鲁道荣
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化钼膜电极 浸渍-煅烧法 电容 循环伏安法
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1019-1023
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2402字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.042

摘要

研究了氮化钼膜电极的浸渍-煅烧法制备工艺条件及其电化学行为.试验结果表明,浸渍-煅烧法制备高活性氮化钼膜电极适宜的浸渍干燥温度为513～473K,煅烧升温速率为1K.min-1,煅烧温度为990K,煅烧时间为2h,冷却方式为在氨气保护下随炉降温;浸渍-煅烧法制备的氮化钼电极成膜均匀,与基体附着性强;在-0.22～0.36V(vs SCE)电位范围内,循环伏安图基本上呈现矩形,当扫描速度s≤100mV.s-1时,电流密度与电势扫描速度成正比,电极电容特征显著,动力学可逆性好,稳定性与重现性好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王华林	合肥工业大学化工学院	104	1194	19.0	26.0
2	李学良	合肥工业大学化工学院	103	593	13.0	17.0
3	鲁道荣	合肥工业大学化工学院	104	539	13.0	15.0
4	何建波	合肥工业大学化工学院	66	597	12.0	20.0
5	朱云贵	合肥工业大学化工学院	17	120	7.0	9.0