N2O氮化LPCVD氧化物可靠性的改进

• 作者: 于军 徐静平 钟德刚
• 来源期刊: 华中科技大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: MOS电容 低压化学汽相淀积 氧化物 N2O氮化
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 页码范围: 22-24
• 页数: 3页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2528字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1671-4512.2001.z1.007

摘要

通过与热生长氧化物进行比较,对LPCVD氧化物及N2O氮化LPCVD氧化物的质量和可靠性进行了高场应力实验研究.发现LPCVD氧化物有比热氧化物低的界面态密度Ditm及小的应力感应Ditm的增加,但电子陷阱产生和俘获率却表现出增强的性能,从而使击穿特性退化.在N2O氮化后,LPCVD氧化物的Si/SiO2界面和体质量得到很大提高,其机理在于N2O氮化导致界面氮的结合及LPCVD氧化物中H2副产物的有效排除.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐静平	华中科技大学电子科学与技术系	88	358	9.0	13.0
2	于军	华中科技大学电子科学与技术系	103	537	11.0	16.0
3	钟德刚	华中科技大学电子科学与技术系	22	118	7.0	10.0