808 nm波长高功率阵列半导体激光器

• 作者: 曲轶 王玲 薄报学 高欣 高鼎三
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 叠层阵列 半导体激光器 高功率
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 494-496
• 页数: 3页
• 分类号: TN365
• 字数: 2502字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2001.06.005

摘要

报道了采用MBE外延生长方法制备的叠层阵列CW工作型高功率半导体激光器.激光器的生长结构采用经过优化的单量子阱渐变折射率分别限制波导结构,激光器芯片结构为标准的CM条,注入因子设计为60%.叠层装配采用了具有高效散热能力的水冷结构.经初步测试,叠层器件的阈值电流为12 A,直流30 A驱动电流下的输出功率达40 W,斜率效率为2.2 W/A.器件中心激射波长为810 nm,光谱宽度(FWHM)为6 nm.