三聚噻吩的表面光电压谱研究

• 作者: 史延慧 曹亚安 曹昌盛 李铁津 王策
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: 三聚噻吩(α-3T) 极化子 表面光电压谱(SPS) 电场诱导表面光电压(EFISPS)
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 1010-1012
• 页数: 3页
• 分类号: O644
• 字数: 2255字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2001.06.025

摘要

采用表面光电压和电场诱导表面光电压技术研究了三聚噻吩在外电场作用下的电子运动行为. 结合三聚噻吩的UV光谱、极化子概念以及前线轨道理论, 指认了三聚噻吩能级跃迁性质, 即380 nm附近的峰为带-带跃迁峰, 447, 465和600 nm附近的峰是与单极化子有关的电子跃迁; 而在770和900 nm附近的峰则是与双极化子有关的电子跃迁峰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李铁津	吉林大学化学系	85	1803	22.0	39.0
2	王策	吉林大学化学系	52	459	12.0	19.0
3	曹亚安	中国科学院化学研究所	6	345	5.0	6.0
4	曹昌盛	吉林大学化学系	2	7	2.0	2.0
5	史延慧	吉林大学化学系	4	50	3.0	4.0