失效物理

• 来源期刊: 电子科技文摘
• 学科: 工学
• 关键词: 失效物理 场效应晶体管 绝缘体上硅 形成机制 旁路漏电 部分耗尽 环境试验 可靠性物理 电子产品可靠性 可维护性
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 页码范围: 3-3
• 页数: 1页
• 分类号: TN

摘要

【正】 Y2000-62422-84 0103519部分耗尽绝缘体上硅 MOS 场效应晶体管动态旁路漏电流形成机制=Mechanisms of dynamic pass Leakagecurrent in partially depleted SOI MOSFETs[会,英]/Saraya,T.& Hiramoto,T.//1999 IEEE InternationalSOI Conference Proceedings.—84～85(EC)