Mo2［(p-tol)NCHN(p-tol)］4及其阳离子电子结构和电子吸收光谱的从头算研究

• 作者: 唐敖庆 张红星 杨光辉
• 来源期刊: 高等学校化学学报
• 学科: 化学
• 关键词: Mo2(form)4 电子结构 从头计算 吸收光谱
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 603-606
• 页数: 4页
• 分类号: O641
• 字数: 3090字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0251-0790.2001.04.016

摘要

用密度泛函理论中的B3LYP方法, 采用LanL2DZ基组, 对Mo2(form)4和［Mo2(form)4］+{其中(form)-=［(p-tol)NCHN(p-tol)］-)}, 进行了分子轨道计算, 明确了Mo—Mo键具有σ2π4δ2四重键的性质. 计算得到Mo—Mo间的分子轨道顺序为π<σ<δ<σ*<δ*<π*. 用单激发组态相互作用（CIS）方法计算了Mo2(form)4和［Mo2(form)4］+的电子吸收光谱, Mo2(form)4的最低能吸收光谱λ=390 nm, 是1A1g→1Eg跃迁产生的, 属于金属内部的电荷迁移. ［Mo2(form)4］+的最低能吸收光谱λ=1 096 nm, 也是1Ag→1Eg跃迁产生的, 属于金属内部的电荷迁移.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐敖庆	吉林大学理论化学研究所	33	156	8.0	10.0
2	张红星	吉林大学理论化学研究所	75	151	5.0	9.0
3	杨光辉	吉林大学理论化学研究所	5	5	2.0	2.0