半导体激光辅助根管治疗的实验研究

• 作者: 李万红 杨冬晓
• 来源期刊: 浙江医学
• 关键词: 根管 玷污层 半导体激光
• 年，卷（期）: 2001,（12）
• 所属期刊栏目: 基础研究
• 页码范围: 726-727,746
• 页数: 3页
• 字数: 2038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-2785.2001.12.009

摘要

目的探讨1320 nm波长半导体激光照射对感染根管的辅助治疗作用.方法30颗拔除的人离体磨牙,取单根管,经常规根管治疗后,随机分为3组,每组10个根管:对照组用常规根管治疗;实验1组加激光治疗5min;实验2组加激光治疗2次,每次5min,间隔30min.所有牙根管近中远中纵向剖开,扫描电镜下观察根尖1/3区根管内壁形态变化,比较残留的玷污层程度.结果经激光治疗,管间牙本质熔融,牙本质小管口缩小或封闭.与对照组比较,玷污层显著熔融或消失.结论1320nm波长半导体激光照射有助于消除玷污层,具有辅助根管治疗的作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨冬晓	浙江大学信息与电子工程学系	29	149	8.0	11.0