硅整流二极管易损原因分析

• 作者: 李光田
• 来源期刊: 矿山机械
• 学科: 工学
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 经验
• 页码范围: 66-67
• 页数: 2页
• 分类号: TD6
• 语种: 中文

摘要

我公司胡家峪矿GTF系列硅整流设备多数是60年代末70年代初的产品(额定输出电压275V,额定输出电流600A,负载率约60%),受当时技术条件所限,硅二极管采用2个ZP200A/800V的管子并联使用,且没有均流措施和换向过电压阻容吸收回路;过流保护采用的是快速断路开关,未设置快速熔断器过流保护,电气原理较为简单,保护装置不够完善.近年来,随着市场经济体制的转移,该矿使用的硅整流二极管备件由原来的1个生产厂家(洛阳单晶硅厂)供应,变为现在5个生产厂家供货,主要技术参数差异较大,硅整流二极管损坏频繁,严重影响正常生产.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李光田		1	0	0.0	0.0