一种适合于计算机辅助测量的产生寿命确定方法

• 作者: 丁扣宝 毕净
• 来源期刊: 真空电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 产生寿命 计算机辅助测量
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 33-35
• 页数: 3页
• 分类号: TP206
• 字数: 1724字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-8935.2002.05.008

摘要

提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法.通过在MOS C-t曲线上读取n个不同时刻的电容值,计算出相应的产生寿命值,其精度随读取点的增加而提高,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁扣宝	浙江大学信息与电子工程学系	18	85	6.0	8.0
5	毕净	浙江大学信息与电子工程学系	12	28	3.0	5.0