钇硅化物的合成及相变研究

• 作者: 姜宁 王文武 谢二庆 贺德衍
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅化钇 原位方块电阻测量 离子注入
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 708-712
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3143字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2002.04.011

摘要

利用离子注入的方法在Si(111)衬底上制备出了具有六方结构的稀土硅化物YSi2埋层,并对其进行了结构及电学特性的研究.钇注入剂量为1×1018Y+cm-2,注入能量为100keV.利用X射线衍射(XRD)及卢瑟福背散射技术(RBS)得到了注入样品的结构相.结果显示,在对衬底Si进行Y离子注入的过程中就已经形成了YSi2相,在随后的红外光辐照退火过程中,样品呈现出了取向生长的趋势.利用RBS的测量分析了注入层中的Y离子在样品不同深度处的浓度分布.利用四探针法对刚注入的样品进行了红外光辐照过程中的原位方块电阻测量,结果显示,当退火温度升到160°C时,样品中形成了斜方的YSi亚稳相;而240°C则对应着YSi-YSi2的相转变点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢二庆	兰州大学物理系	84	371	11.0	14.0
2	姜宁	兰州大学物理系	5	21	2.0	4.0
3	贺德衍	兰州大学物理系	68	559	13.0	19.0
4	王文武	兰州大学物理系	6	12	2.0	3.0