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摘要:
设计并制作出了940 nm无铝有源区高功率激光二极管和激光条.通过MOCVD法生长出应变量子阱材料,器件显示出极好的性能,100μm条宽的激光二极管最大输出功率达800mW(室温),填充因子为17%的激光二极管条发射功率达32 W.
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文献信息
篇名 940nm高功率激光二极管及线阵
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 MOCVD 激光器二极管 激光二极管阵列
年,卷(期) 2002,(6) 所属期刊栏目 光电器件
研究方向 页码范围 393-394
页数 2页 分类号 TN248.5
字数 956字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.06.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王立军 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 131 1339 19.0 31.0
2 刘云 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 99 706 15.0 23.0
3 程东明 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 5 29 4.0 5.0
4 王乐 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 18 106 6.0 10.0
5 曹玉莲 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 15 78 5.0 8.0
6 廖新胜 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 3 17 2.0 3.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
MOCVD
激光器二极管
激光二极管阵列
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
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