410～355 nm内四甲基硅的多光子解离和电离研究

• 作者: 刘玉芳 施德恒
• 来源期刊: 原子与分子物理学报
• 关键词: 四甲基硅 多光子解离电离 多光子电离解离 反应动力学 质谱
• 年，卷（期）: 2002,（2）
• 页码范围: 126-132
• 页数: 7页
• 字数: 4744字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-0364.2002.02.002

摘要

利用平行板电极装置研究了四甲基硅在410～378 nm内的MPI光谱;利用TOF质谱仪研究了该分子在402～371 nm内若干个波长点处的TOF质谱;利用四极质谱装置研究了它在355 nm处的MPI质谱.测得了355 nm下Si(CH3)+n(n=1,2,3,4)及Si+的激光光强指数,以及其信号强度占总信号强度的分支比随光强的变化关系.据此,讨论了该分子MPI过程的可能通道,得出了Si+主要来自于母体分子的多光子解离-硅原子的电离、Si(CH3)+n(n=1,2,3)主要来自于Si(CH3)n(n=1,2,3)的自电离、Si(CH3)+4来自于母体分子的(3+1)电离的结论.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	施德恒	空军第一航空学院基础部	74	593	15.0	21.0
2	刘玉芳	河南师范大学物理系	156	576	11.0	17.0