Te对Mg2Si基化合物结构和热电传输性能的影响

• 作者: 姜洪义 张联盟
• 来源期刊: 硅酸盐学报
• 学科: 工学
• 关键词: 固相反应 碲掺杂 热电特性
• 年，卷（期）: 2002,（5）
• 页码范围: 550-553,558
• 页数: 5页
• 分类号: TM201.4
• 字数: 3219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0454-5648.2002.05.003

摘要

采用固相反应法在823 K温度下分别制备出了掺入0.1 %和0.4 % Te(摩尔分数,下同)的Mg2Si化合物, 并对掺Te对化合物结构和热电特性的影响进行了研究.结果表明:通过对Mg2Si基体的掺杂可以大幅度提高Mg2Si基热电材料的整体热电性能.掺入0.4%Te试样的优值系数在500 K时达到2.4×10-3W/(m *K2), 比未掺杂的Mg2Si试样提高了1.4倍以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	姜洪义	武汉理工大学材料科学与工程学院	55	1069	18.0	31.0
2	张联盟	武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室	249	2664	24.0	41.0